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納米粒度儀的電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）ICP-MS是使用電感耦合等離子體作為離子源的元素質(zhì)譜法;離子源產(chǎn)生的樣品離子質(zhì)量通過(guò)質(zhì)譜分析儀和檢測(cè)器后的質(zhì)譜分析;檢測(cè)限低（多數(shù)元素檢測(cè)限為ppb-ppt）;線性范圍很寬（最多7個(gè)數(shù)量級(jí)）;分析速度快（1分鐘內(nèi)70個(gè)元素的結(jié)果））;光譜干擾?。ㄔ恿坎羁梢杂?分開(kāi)），并且可以進(jìn)行同位素分析。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜納米粒度儀（TOF-SIMS）是用單個(gè)離子刺激樣品表面以產(chǎn)生非常少量的二次離子，這是由于不同質(zhì)量引起的二次質(zhì)量。極高分辨率的測(cè)量技術(shù)，通過(guò)改變探測(cè)器的時(shí)間來(lái)確定離子的質(zhì)量。使用聚焦的初級(jí)離子束對(duì)樣品進(jìn)行穩(wěn)定的轟擊，初級(jí)離子可以被樣品表面反向散射（概率很?。蛘咚梢源┩腹腆w樣品表面上的某些原子層到達(dá)滲透中的一定深度在此過(guò)程中會(huì)發(fā)生一系列彈性和非彈性碰撞。初級(jí)離子將其部分能量轉(zhuǎn)移到晶格原子。這些原子中的一些朝向表面移動(dòng)并將能量轉(zhuǎn)移到表面離子以發(fā)射它。該過(guò)程變?yōu)榱Ｗ訛R射。當(dāng)樣品被離子束轟擊時(shí)，可能會(huì)發(fā)生額外的物理和化學(xué)過(guò)程：一個(gè)離子進(jìn)入晶格，導(dǎo)致晶格畸變;在被吸附層覆蓋的表面上引起化學(xué)反應(yīng)等。納米粒度儀濺射粒子主要是中性原子和分子，一小部分是具有正電荷和負(fù)電荷的原子，分子和分子碎片.